前来应广告的投放范围的随着飞跃科技公司招聘域内的高水平技术人教授，也有几位不上公举招揽了几十名各个领才。就连大学里的机一不断扩大、某某某获消息的放出，本港许多原本看得什么待遇们也纷纷心动了，甚至聘，公司趁技术专家司开出待遇的
官的角色人数在于试一天一天的增加，以至了电话事宜，并且这个，也向招聘组打来专家斯不得不再从总，商谈面发展意愿的技术，本特利和希利两个星期之后国家但是有到香港部抽调人员充当面试时，一些原本在海外其他同。
在这来高速发展时期。不会对原阵痛，下，定会上了，迎响，这个暂时也顾不公司接下来一本的项目只要经历了这段时间的些高技术人才的推动研究进展产生影至于抽调人员会
土地上了。不过好好过了一把面试官瘾的姚飞此时谷这片神奇的已经踏在了硅
“科尔，五分钟后准备开炉……”
温减压准备出炉并排而技新建的单晶硅实验室立单晶硅实验室第一阶硅此时已经到了降，建飞越科内，布雷迪和姚飞成果，马上即将晓。要揭立，实验室制取单晶段的努力阶段
吗？”小心炉热气，等内热气散尽再取出压，科尔开炉之前要制住炉硅晶棒，明白了“波特，控主炉打开的瞬，靠太近间向外喷射的残留
醒重金许诺继续留在会有有些压不住自己的一切重新开始，之前所以他得出声提雷迪新招定心，而实验室这些第次见识单晶硅开在日本电气公司的实验室级别的。一，肯的几名助手好奇之心，人基本都是布哪怕是炉，了原来的研究中过来了，
”明白，教授……“
的神情还是掩不住听着布雷迪教是其注视一边远离了几步，但，波特谨慎的往奇。授的话他心中的好
“开炉！”
，布雷迪十分干要安装一个控制器就行关系的。门是自动打开的，这特便按下了脆的指挥开炉钱个只需五分钟时间一过了，和智能没半毛，随后波红色开炉按钮，炉
与”声响起，一道转瞬即向四空气中的水分子相互作周喷出，这是高压热气逝的白烟从炉内用产生的水蒸气。随着一声清脆的“啪
一根表面是单晶硅棒了。继续等了两三分的棒状物体，这就才戴上了耐高温呈黑亮光彩的炉室内取出手套，然后从程筒状钟又，波特
的本色是银灰色象是黑色向一致，呈玻璃状，不过单晶硅一样，由于晶。因此看上去就
刚刚生产出进行后续加工的和测量。，还需要进行一系的单晶硅棒是不可以直接器对其进行检验列的检测，通过化学腐蚀及测试仪
径、长度、端面、碳含量、直、导电类型、掺杂、少裂纹硬伤等。，具体的有晶向程也是包弯曲度、位错密度以及平兴度检测的过阻率均匀性、氧含量子寿命、电、端面阻率范围、电含很多细项
合格并达到规定标准后，才能进除开直径长行下一步的切度这两项，其他都片加工。必须等到检测
单晶硅棒检测设备对其检测。专门的项的检测项目并没有，因为有花费多长时间这么多
笑容，但是没过一会肃的表情满满有了些许给了布雷儿便又变得严肃起来。看到出来的检测数据之后其脸上原本严出来的测试报告首先交迪，
姚飞接过报告，看过之后距，千万不要小一个地上。在的纯这两种纯度生还是大大的超标了度也只达到99.57，现的产品绝对是一个天上产%，距离2%的纯度差距，利用%貌似还有很大的一他就明白了，原看这0.4段差来氧的含量出来可用的9
起。估一段长时间了，哪是继续依怕是有他的不断参与，靠传断的改进，姚计也得话费一法进行不统的老办要两年的时间，而这时间，姚飞完全耗不飞估计得需要相当
使用磁控直拉技验……”术，对于这项技术，我果我们想要在短时间经个人建议可以先从横向磁场开始实晶棒，恐怕得开始尝试已非常成功了，接下来如“教授，你们内制造出符合标准的硅
室环境下，但是其能力的体现建立起间短短的时来，并顺利开炉纯度还有所提高，虽然这是之内布雷迪就不可否认这都。将实验室重新实验
问“没…”题，马上对生长改装，制造磁场…炉进行
然后安装就行。力值姚飞已经说明由于此前对只要测量加的先已经准备完毕好位置，是事，所以磁体的大小也，于磁场对熔体施
这也只了，但是要想达到理想效果还是确安装熔体受力正要根据能说理论上是微调整。状况不断的进行当然，后续在生长中
同强度的磁场。两块电磁体就可以了强弱制造，这样通电的时候可以控制电流的不磁体的安装速度很快，也就是在炉室壁外侧两面加装
的报废石英坩埚，再。的彻底冷却下来，取坩埚，封闭炉门出已经使用过换上新生长炉经过一段时间的
经行了。填料便能得以继续进之后，新一轮的过及炉压控制步骤抽真空、捡漏以
作步骤是相同的看到了他们对于的操，之前磁控直拉生生长技术姚飞没什么不生放心的。长炉的操控，长技术和直拉
造最佳磁场。，关于磁场对于熔体据慢慢比对我想你们可以在以各种数晶硅实际生长中将运动影响的问题后的单佳位置制，然后选用最“教授
…为我们应该集成电路制造…”现在我认为我们可以加术结合起来一起使用制备出用于将其他不同的技级别的硅单晶，我认快进程了，为了能早日的标准
不了的。但是事情确实需要一步一步的来，再应用另一种新有了姚飞这个bug，技术，完全没什么大
是，使别说进行改造“姚先生，你的意思术图纸都没有，更用区熔法技术？可是了……”现在我们连技
们制造出99.区熔法，这种技过一段时间等他想到姚飞使用的这到，但是他完全没么急切！术他过很多次已经听姚飞说了，原本以为还需要9%的硅晶棒才可以用
来完全可以减，而过一次据，然后进行对比分析些投入资金，在布雷迪这样的专家眼里，丝毫浪费。他们完全可以通少许多技术浪费，虽然会多花费一些，容不得次开炉收集数技时间、一每一种术都非常珍贵但是这样一
，至于怎么改装，这个还是得靠教授你来一些不同的操作步骤释区熔法的原简单，一个部件的详细功……”想办法了，能会我就可以画你给，理，以及它每一“图纸，这个很我会详细的向你解也会向你仔细说明
。的说法姚始了区熔拿起纸笔、尺子对于布雷迪法生长炉图纸的绘制，姚飞便开工作办公桌边，飞不置可否，径直走到
首先是起稳定作真空。用的底座，升旋转机构，接着壁内使用真空泵抽熔室，上下炉是主底座内装有坩埚上
侧配置直径控制坩埚，在炉单晶传感硅分别是绝缘层、加热器，颈口部组件、石墨外壁层向里，之后室的另一。生长时炉内气体外泄位使用隔离阀确保
晶的吊绳，以及惰口。最有引导上方使用上升旋转的进气机构封口。外延烟囱状部位内性气体氩气籽
图纸就算是区熔样立式悬浮各个部位操作上集合控制法的绘制完毕了。最后，配的控制系统，这
的加热方电阻加热直接将固式是有很状致的垂直大区别的，直熔法设备的图纸了，值得注意“教授，这就是大体多晶硅加热成熔融区态从而进的是，区熔法和直拉法行生长。拉法采用的是
器使熔区移动。使液体靠表晶硅区域融化，而区熔法是利用多加热应或者是光学聚焦电子轰击、高频硅或者感面张力支持而不法坠落，然后靠移动多晶将一段
用石英坩埚，能避！”，可以免坩埚污染，由于杂质分凝和蒸发效应这种方法不使生长出高电阻率硅单晶
道姚飞心里的想法，估试验成果出来再口气像个技术，难道就不能一的脑子里到底有多少新要是此刻布雷迪现在一直的都是怎知说完，害他到先进的分室区熔技术…计得破口大骂，你丫技术的潜力挖到极致…里如是想到，如果么将每一种，还是等下一阶段的样，满脑子里想着吝啬的管家一说吧，姚飞心贪多嚼不烂，至于更加