原本才举招揽了几十名各个遇动了，大学里的教授，也有司趁机一甚至就连的不断扩招聘广告的投放范围跃科技公司消息大、某某某获得什么待随着飞领域内的高水平技术人几位前来应聘，公的放出，本港许多看不上公司开出技术专家们也纷纷心。待遇的
了电话，商谈面试事在一天一天的增加，总部抽调人利和希利斯不得不再从，也向招聘组打来以且这个人数家的角色。愿的技术专个星期之后，本特，一些原至于两员充有到香港发展意当面试官宜，并时同本在海外其他国家但是
上了，只要经历了来高速发下，公司接下来一也对原本至于抽调人员会不会顾不展产生影响，这个暂时这段时间的阵痛，高技术人才的推动在这些展时期。目研究进的项定会迎
地上了在了硅谷这片神奇的土官瘾的姚飞此时已经踏不。过好好过了一把面试
”“科五，尔分钟后准备开炉……
备出炉阶段，建立单晶时已经到了降温减压准的努力成果，马上即硅将要揭晓。硅实验室内，布雷实验室制取单晶硅此实验室第一阶段迪和姚飞并排而立，飞越科技新建的单晶
向外喷射的特散尽再取出硅晶棒，明“波气之前要靠太近，小心主白了吗？”残留热气，等炉内热，科尔开炉炉打开的瞬间，控制住炉压
提醒住自己的好奇之心，怕是实验室级别的，哪。以他得出声在了原来的研究中心压晶硅开炉，的几名助手在日本电气不，而实验室这些人基本一切重新开始，之前新所公司的重金来了，第一次见识单许诺继续留招过都是布雷迪肯定会有有些
“明白，教授……”
听着布雷迪教波特谨慎，奇。授的话不住他心中的好但是其注视的神情还是掩的往一边远离了几步，
“开炉！”
按下了红色开炉按钮，系的。动打开的，这个只五分钟时间需要安一过，布雷迪装一个控制器就行指挥开炉，随后波特便十分干脆的了，和智能没半毛钱关炉门是自
道转瞬产生的水蒸气。内向四周喷出，压热气与空气中的水分即逝的白烟从炉这是高随着一声清脆的“啪”声响起，一子相互作用
，这就内取出一根硅棒了。三分钟，波特才戴上了又继续等了表面呈黑亮光彩两从程筒状的炉室是单晶的棒状物体耐高温手套，然后
晶硅的本不过单因此看上去就一致，呈玻璃状，象是黑色一样。色是银灰色，由于晶向
学腐蚀及测试仪器对还需要进行接进行其进行检验和测量。生产出的单晶后续加工的，硅棒是不可以直一系列的检测，通过化刚刚
硬伤等。检也是包含很、碳含量、直径、长位错密度以及、电阻度、端、导电率范围、类型、掺杂、少子寿命测的过程面平兴度、端面弯曲度电阻率均匀性、氧含量、裂纹多细项，具体的有晶向
后，才能进行达到规定标准等到检测合格并下一步的，其他都必。除开直径长度这两项须切片加工
专门的单晶硅棒检测设备对检这么多项的长时间，因为有其检测项目并没有花费多测。
肃起的检测数据之后其给了布雷迪，看到出来先交来。脸上原本严肃的表情满出来的测试报告首过一会儿便又变得严，但是没满有了些许笑容
不要小看这氧度生产有很大的一的超标了0.42%的纯度差距，现在的后他就明白了，原来出来的产品绝对，利用这是一个天上一个地上。报告，可用的99.的含量还是大大段差距，千万姚飞接过9%貌似还到99.57%，距离两种纯纯度也只达看过之
传而这要是一段长时间了，哪怕，姚飞估计得需要相当是有他的不老办法进行不时间，姚飞完全耗不起。统的话费一两年的时间，继续依靠断的改进断参与，估计也得
恐怕得开始尝试使用磁如果我们想要在短时间从横向磁场开术，我个人的硅晶棒，控直来下内制造出符合标准…”始实验…“教授，你拉技术，对于这项技建议可以先们已经非常成功了，接
立起来提高，虽然这是实验，并顺利开炉都是其能短短的时间之内布雷迪纯度还有所力的体现。重新建不可否认这室环境下，但室就将实验
行改装，制造磁生长炉进场“没问题，马……”上对
装就行。由于的大小也此前对于磁场对熔体毕，是事先已置所以磁体施加的力值姚飞已经说明，只要测量好位，然后安经准备完
想效果还是要根据后续在生长当然，进行微调整。中熔体受力状况不断的，但是要想达到理理论上是正确安装了这也只能说
的安装速度很快强弱制造不同强面加装两以了，这样通电的时室壁外侧两，也就是在炉块电磁体就可度的磁场。磁体候可以控制电流的
彻底冷却下来，生长炉经过经使用过的报废石英坩埚，再一段时间炉门。取出已的换上新的坩埚，封闭
压控制步。行了便能得以继续进经过抽真空、捡骤之后，新一轮的填料漏以及炉
拉生长技磁控直拉生长技术和直姚飞没什么不放心的他们对于。，之前看到了生长炉的操控，术的操作步骤是相同的
制造最佳位置最“教授，关于磁场对于想你们可以佳磁场。然后选用慢比对，长中将各种数据慢在以后的单晶硅实际生熔体运动影响的问题我
将其他不同的技术结合现起的硅单晶，我认为在我认为我们可以加快备出用于集成电路进程了，为了能早日制来一起使用……”我们应该制造的标准级别
事情确实需要一步一步的来新技术，完全大不了的。这个，但是有了姚飞bug，再应用另一种没什么
造了……”区熔法技术？可是现在我们“姚先生，你的意思是，使用连技术图纸都没有，更别说进行改
到姚飞使用的这么急切！为还需要过原本以法，这种技术他已经听区熔姚飞说过很多次了，造出99.9一段时间等他们制%的硅晶棒才可以用到，但是他完全没想
在布一次次开炉收一，但是这样一样的专家眼里，每来完全可多技术浪费，而种技术都非常珍贵他们完全可以通过以减少许资，然后进行费一些时间、一些投入对比分析，虽然会多花雷迪这金集数据，容不得丝毫浪费。
，一原理，同的操你解释区“图纸，这个很简给你，至于怎么以及它每一个部件些不单，一会我就可以画改装，这个还详细功能熔法的…”说明…是得靠教授你来想办法了，我会细的作步骤也会向你仔详细的向
，姚飞便开否，径直走到办公桌边飞不置可绘制工作。图纸的长炉始了区熔法生，拿起纸笔、尺子对于布雷迪的说法姚
接着是主熔室，装空泵抽真空。是起稳有坩埚上升旋转机构，上下炉壁内使用真定作用的底座，底座内首先
的外壁层向里，之后分缘层、另一侧配置直径控制传单晶硅生长时炉内气体外泄。加热组件、石墨坩埚，在炉室感器，颈口部位使用隔离阀确保别是绝
及惰性气体氩气的囱状部位内有引导烟籽。旋转机构封口用上升晶的吊绳，以外延进气口。最上方使
合控制各个部位是绘制完毕了。立式悬浮区熔法的图纸操作的控制系统，这样就算最后，配上集
用的是电阻加热成熔“，值得注意的是，的，直拉法采式是有很法和直拉法的加热方大区别融状态从而教进行生长。授，这就是大致的垂直热直接将固体多晶硅加区熔法设备的图纸了区熔
动多晶硅或者加热器高频熔法是利用电子轰击、使液体靠持而不坠落，然而区使熔区移动。后靠移感应或者是光学聚焦法将一段多晶硅区域融化表面张力支，
这种方法不使用石英坩阻率硅单电埚，能避杂质晶！”应，可以生长出高免坩埚污染，由于分凝和蒸发效
贪多嚼不烂，至于更加技术，分室区底有多少新每一种技术的潜力挖心里如是想到，如果气说完，迪知道姚现在一丫的脑子里到试验成果出来再说想法，估计得破口大骂，你的管直像个吝啬害他到家一样，满脑子里想着要是此刻布雷飞心里先进的的都是怎么将到极致……的难道就不能一口是等下一阶段的吧，姚飞熔技术，还