某某某获得什么待遇出待遇的技术专家放范围的不断扩大、随着飞跃科技，本港许多十名各个领域内的来应聘，公消息的放出公司招聘广告的投不上公司开也有几位前至就连大学里的教授，一举招揽了几们也纷纷心动了，甚高水平技术人才。司趁机原本看
本特利和希这个人数在一天斯不得不再从总部抽调他国家但海外其面试事宜，并且是有到香港发展意愿的两个星组打技术专家，也向招聘至于利面试官的角色。商谈来了电话，一天的增加，以人员充当同时，一些原本在期之后，
了，只要经历了这段在这些高技术人响，这个暂时也顾不上研究进展产生影痛，迎来高速发展时期。的阵项目抽调人员会不会对原本的才的推动下时间至于，公司接下来一定会
上了。不过试官瘾的土地的好好过了一把面姚飞此时已经踏在了硅谷这片神奇
“科尔，五分钟后准备开炉……”
晶硅实验室内，布雷和姚取单晶飞越科技新，马上即此时已经到了降温段，建立单晶硅硅将要揭晓。力成果迪减压准备出炉阶建的单飞并排而立，实验室制实验室第一阶段的努
，控制住炉压外喷射的残留热，科尔开炉之前要靠主炉打开的瞬间向硅吗？”尽再取出晶棒，明白了气，等炉内热气散太近，小心“波特
提醒。心，而实验室这些人，之前的来了，第一次见名助手在日本电识会有有些压不住自己的好奇之心，一切重新开始的，肯定单晶硅开炉基本都是布雷迪新招过诺继续留在了原来的研究中，哪怕是实验室级别几所以他得出声气公司的重金许
…”“明白，教授…
一的话，波特谨慎听着布雷迪教授边远离了几步，但的好奇。掩不住是其注视的神情还是的往他心中
“开炉！”
特便按，随后波过，布这个只需要安装一开炉个控制器下了红色开炉按钮雷迪十分干脆的指挥行了，和智能没半毛钱关系的。就五分钟时间一，炉门是自动打开的，
啪”声响起，一道转随着一声周喷出，这是高压热气瞬即逝的与空气中的水分子相互作用产白烟从炉内向四清脆的“生的水蒸气。
内取出一根表状物体，这就是单晶硅棒了温手套，然后从程筒状面呈黑亮光彩的棒的炉室耐高又继续等了两。三分钟，波特才戴上了
璃状，因此看上去就象是黑色本色是银灰色，样。不过单晶硅的一向一致，呈玻由于晶
对进行后续加工的，还需进行一出的单晶硅棒是不可以直接系列的检测，通过化学其进行检验和测量。生产刚刚要腐蚀及测试仪器
，过程也是包类型、掺含很密度以及裂纹硬伤、端面弯曲度等。体的有晶向、导电率范围、电阻率均匀性、氧含量、杂、少子寿命、电阻具检测的、位错碳含量、直径、长度、端面平兴度多细项
能等到检测合格并达进行下一步的切片到规定标准后，才这两项，其他都必须加工。除开直径长度
为有专门的单棒检测设备对其检测。，因晶硅花费多长时间没有这么多项的检测项目并
迪，看到出来的检测布雷。满出儿便又变得严肃起来数据之后其脸上原本严报告首先交给了肃的表情满有了些许笑容，但是没过一会来的测试
，现在的纯度也度只达这两种纯度生产出来.9%貌似还有很天上一大的一段差对是一个离可用的99之后他就明白了个地上。利用，看过的产品绝小看这0.42%的纯差距，，原来氧的含量还姚飞接过报是大大的超标了距，千万不要告到99.57%，距
的时间，而这时间，姚改进，姚飞估计得的老办法进行不断的一两年哪要是飞完全耗不继续依靠传统的不断参与，估计也得话费需要相当一段长时间了，怕是有他起。
常成功了，接下来如这拉技术，对于你果我始实验……”们已经非试使用磁控直“教授，项技术，我个棒，恐怕得开时间内制造出符合磁场开人建议可以先从横向标准的硅晶们想要在短始尝
这都是其能力的体现。环境下，但不可否重新建内布雷迪就将实验室认还有所提高，虽短短的时间之来，并顺利开炉纯度验室实然这是立起
磁场……”“炉进行改装没问题，马上对生长，制造
由于此前对于磁场对，然后安装就行。以磁体的大小也飞已熔体施加的力值姚是事先已经准备完毕，只要测量好位置经说明，所
理论上是正确安后续这也只能说微调整。当然，是要想达状况不断的进行装了，但在生长中熔体受力到理想效果还是要根据
体就可以了，这样通不同强度的磁场。磁体的安装速度很快，的强弱制造外侧两面加装两块电磁也就是在炉室壁电的时候可以控制电流
报废石英坩埚出已用过的段时间的彻埚，封闭炉门底冷却下来，取，再换上新的坩。生长炉经过一经使
经过抽得以继续进行了。一轮的填料便能压控制步骤之真空、捡漏以及炉后，新
操作步骤是相同们对于生长炉的操控，生长技术控直拉和直拉生长技术的放心的。姚飞没什么不磁的，之前看到了他
的问题我想你们可以制造最佳磁场。然后选用最佳位置“教授，关于磁场对于际生长中将各种数据慢慢比对，在以后的单晶硅实熔体运动影响
为我们应该合起……”单晶，我认来了，为了能早日制造的标准级别的硅现在我认为我们可以加一快进程将其他不同的技术结备出用于集成电路制起使用
有了姚飞这个bug，再种新技术，完全没什的。事情确实需要一步一步么大不了的来，但是应用另一
别可是现在我们连技术“姚先生，你的意思是，使用区熔法技术？进行改造了……”说有，更图纸都没
姚飞使用的这以用到，急切！99.9%的硅晶了区熔法，这种么棒才可技术他已经听姚飞说过很多次但是他完全没想到，原本以为还需要过一段时间等他们制造出
，而在开炉收集数据他们完全可以通不得丝毫浪费。过一次次完全可，每一种技术都析比分许多技术浪费非常珍贵，容，虽然会多以减少入资金，但是这样一来花布雷迪这样的专家眼里费一些时间、一些投，然后进行对
“图释区熔法的，这个还是得靠教授你来原理，以及它每一纸，这个很简单，个部件的详细不同的操作步也会我就可以画给办法了，我会详细的向向你仔细说明……”一会你，至于怎么改装骤功能，一些想你解
图纸的绘制工作。起纸笔、于布雷迪的说法姚熔法生长炉对飞不置可否，径直走到办公桌尺子，姚飞便开始了区边，拿
内使，底座内装有坩埚首先是起稳定作用的底是主熔室，上下炉壁用真空泵抽真空。座上升旋转机构，接着
单晶硅生长时炉内气体墨坩埚，在炉室的另一控制传感器，颈外壁层向里，之后分别是绝缘层、外泄。口部位使用隔离阀确保侧配置直径加热组件、石
晶的。惰性气体氩绳，以及内有引导籽吊状部位外延烟囱用上升旋气的进气口。最上方使转机构封口
系统，这样立制完毕了。部位操作的控制配上集合控制各个式悬浮区熔法的图纸就算是绘最后，
直区熔法设备的图纸方式是有很大区别的，“教授，这就是大致和直拉法的加热状态从而进行生成熔融阻加热直接将固体多晶硅加热值得注意的是，区熔法用的是电了，长。直拉法采的垂
学聚焦法将，而区熔或者然后靠一段多晶硅区域是光力支持而不坠落电子轰击、高频感应法是利加热器使熔区移动。用融化，使液体靠表面张移动多晶硅或者
坩埚，能由于阻率硅单晶！”避染，和蒸发效应，可以生长出高电杂质分凝免坩埚污这种方法不使用石英
力挖到极致…怎么将每一种技术的潜试验成果出来再，你道姚飞心里的想法…口气的都是知说完一直像个吝啬的管家飞心里如是想到，如果术，还是等下一阶段的得破口大骂说吧，姚，害他到现在一更加先进的分室区熔技少新技术，难道就不能要是此刻布雷迪丫的脑子里到底有多想着一样，满脑子里，估计贪多嚼不烂，至于