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第26章 鱼儿上钩了

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布雷迪将展翻来覆去的看了一遍又一遍,底是不是上帝在道这到脸部不断抽动的整个在手里的纸玩笑表情仿佛想知和自己开一个国际大

宏志才想到来的小林但是这四处一看个面打个招呼,向己的友善,找得到人人物见额祝贺,反应过,哪还能了要和的研究所核心……即将入手其表达一下自接受完各方

些人来说是个不眠之夜及小田中村次郎妻子艾连娜也无法象往今天这好觉。样睡个,连带着布雷迪却是苦逼的睡在回到酒店继续欢庆,这一夜他的,小林宏志、井深大个夜晚,注定对于有床上翻来覆去无法入常那

子一起享用早仅抓了两块面包大口喝坐下来和妻顶着他那双熊猫眼天一早往姚飞酒店的房餐,在餐桌上仅间赶去第二了一杯牛奶,就,匆忙的洗漱过后,布雷迪顾不得

科学研究有着每一个的专家教授都有一个同执着追于任何高尖端技术的抵力几乎为零。而致命的软肋,那就是对

了姚飞引诱布雷迪当时姚飞也是想到这生长技术甚至悬浮区熔法,姚飞这里应磁控直拉技术、连续情就脱离研究所为自己工作简单了,单晶硅的科学界证明自己的想法,给尽有。布雷迪迫切需要向个原因,外加抓住的想法,接下来的事

声响起打开门之后道事情,真是金玉良言啊!写出资料姚飞,听见敲只要锄头舞的好,哪大的熊猫眼,就知有墙角挖不倒基本上已经成了,正在整理昨晚雷迪教授顶着一双大,看见站在门外的布

是姚飞,请进!”好,自我介绍一下,我,早上迪教授“布

人家在门外当然没有理由让方便。就等你呢,既说话,不礼貌不说还不来了,

“谢谢。”

房间。一声跟着进了布雷迪没说什么,谢了

控直拉技术、连续握单晶硅制造“姚先的各种方生长技术以及区熔法,请问真的是这样吗?”法,其中包括磁生,你说你掌

马急切的向姚飞询问道一坐下来,布雷迪立

验论证方法都已经经过进一步中……”我实“是的教授,这些技术的原理我都知,只等晓,这些技术用于实践的生产之

咬钩了千万别立马拎背断的。杆,这样鱼线很容易被鱼给大鱼上钩了,喜道,欢钓鱼的人都知

鱼精疲力这个时候,必须要放长线的拖上岸。常轻松尽的时候,自然就可以非冲来在水中不,让其冲去,直到

上钩,那就要看对方对于技术的执着飞昨天的所方不上钩的橄榄枝以姚上不心理挣扎个那见所闻,对,至于对方心神,然后再让先用技术**他,扰飞先前方抛出自己的度了,而来找自己时,再向对乱他的么一会,进而等到对方的想法就是可能性不大。

的标准纯度的9才能98.97单晶硅纯度,能不能向您请教一%,却是依然达不到市场?”“姚先生9.9%来我们研究所生产的,为什么下单晶硅技术

技术,立马就呼啦一布雷迪明显是下就问上了。姚飞说他有个实干派,听

,以及单晶“不知道教授之前作能给我细节硅棒生一些操介绍一下吗?长中采用的是何种生长技术

生长技术。用的也是直拉法“没问题,我之前使

,并保持略高硅熔化度向上提拉籽晶于硅熔浸入熔体,再以一定速在石英坩埚中的多晶点的温度,然后将籽晶通过强电阻加热,将装并同时旋转引出晶体;

,控制晶体等径生制到所,待晶体冷却便将其取度,最后再收尾然后控制晶体长到所需长上下正反出。需要的延伸,并将其控方向旋转拉扯径,

的直拉法单晶硅布雷迪详细的介绍了一下他制造单晶硅的流方法。按照之前也是目前单晶硅产,这业内的通用制造工艺流程来的制造程,基本上是

个小问题不知道教授有没有考问题实际生产操作中“我知道了,教授刚才本上是没什么大所描述的方法虑到。的,但是有

坩埚壁的高度最小,在晶体生长过熔体高度最高,而裸露一是采用直拉法时,程直到引晶阶段的收尾阶段。

、热传输,尾部最体轴向、径向杂质分化包括熔体的对流、固液界面形状等的高度状况,头整个晶棒从头到部受热时间最长尾经历不同的受热布不均匀。这样造成生长条这个过程裸露坩埚壁件不断变,即短,这样肯定会造成晶不断增大,

同时晶体,最后的作用,即坩锅中的难以控制的参熔体和。”2、b、al等杂质易于数,这主要是要,但是氧含量又是直拉法中,氧单晶硅棒杂质含量过高进入剧了熔融硅与石英坩锅量及其分布是非常重o成了熔体中的热对流加出炉的就造

对于姚飞来说压产生的问题这根就没什么好隐瞒的布雷迪大致介绍了拉生产技一遍。将传统的单晶硅直术中容易出现的问题跟,解决产生问题的技键,接着他又术才是关

“那姚先生拉技术便是针对这说的磁控方面的改进?”

待着的回答。布雷迪这个时脸满怀期待的表情懂的小姚飞全能全知的教授气度,学生,正一平时那副候哪有完全是个懵

技术便是对传统的直拉“不错熔体中的温度波度。,磁控直拉生长术改进减少了生长技术的改进,此技

于1c。液界面附近熔体中的温度波动可以达温度波动就会小目前直拉法中固到10c以上,而如果施加一的磁场,那这个个0.2t

这样杂质分布的均阻分可以晶体的径向电布均匀性也可以得到提高;明显提高晶体中匀性,同时

来,就可以降低这样一少杂质的进入,也就提单晶中的缺陷密度,减高了晶体的纯度。

与坩锅的作用减弱,使坩锅中的下,熔融硅晶体。作用杂质较少进入熔体这是由于

晶体中氧浓度的变化;来,可有效控制产率。;有利于提高生杂质纵向分布均匀性晶体转动、坩锅散层厚度增大,可提高合起磁场强度与动等工艺参数结由于磁粘滞性,使扩

音。”法两倍时,仍可得到生长速度为一般直拉产简直就是福术,如用水平磁场,当较高的晶体,对于大规模批量生采用磁控直拉技

也没有藏私,将改进方对于这个磁控直拉技术,法和一些改进参数告诉了布雷迪……姚飞

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