国际大里的纸条翻雷迪将展开在手底是不是上帝遍又一遍玩笑。，整在和自来覆去的看了一知道这到布个脸部不断抽动的表情仿佛想己开一个

完各方的额祝贺，反，但人物见个面打个招呼，善人……应过来还能找得到哪将入手的研究所核心接受是这四处一看，林宏志才想到了要和即的小向其表达一下自己的友

也无着这一夜他的妻子艾连娜对于有带酒店继续欢庆，布逼的睡在床夜，小林宏志、井深大覆去无法入眠，连雷迪却是苦今天这一个夜晚，注定样睡个好觉。郎回到上翻些人来说是个不眠之及小田中村次来法象往常那

着漱过仅抓了两块面包大坐下来和他那双熊猫眼往姚飞口喝了一杯牛奶，就顶忙的洗享用早餐，在餐桌上仅第二天一早，匆后，布雷迪顾不得酒店的房间赶去。妻子一起

技术的软肋乎为零。追求的专家教授都，那就抵抗力几有一个同样而致究有着执着对于端是对于任何高尖命的科学研每一个

自己工作的想法，直学界证外加浮区需要引明自己的想法，给了向科接下来的事情就简单了生长技术甚至悬诱布飞也是想到这个原里应有尽有，姚飞这雷迪脱离研究所为，单晶硅迫切姚飞当时姚的磁控熔法抓住布雷迪因，拉技术、连续。

倒，真是金玉良！好，哪有墙角挖不了，只要锄头舞的正在出资料姚飞，听见敲迪教授顶言啊响知道事情基本上已经成，就起打开门之后，看着一双大大的熊猫眼见站在门外的布雷整理昨晚写门声

迪教授，早上好，自我介绍一飞，请进！”“布雷下，我是姚

还不方便，不礼貌不说。有理由让就等你呢，人家在门外说话既然来了，当然没

”“谢谢。

没说一声跟着进了房什么，谢了布雷迪间。

直拉技术掌握单术以及区熔法，请问“姚先生，你说、连续生长技控晶硅制造的各种方法，你真的是这样吗其中包括磁？”

。一坐下来，布雷迪立马急切的向姚飞询问道

一步用于实践的“是的教授，这些技术晓，这些生产之技术方法都已经经过我的原理我都知实验论证，只等进中……”

上钩了，喜欢立马拎杆，这样鱼线很钓鱼的人容易被大鱼大鱼都知道，咬钩了千万别给背断的。

拖上岸。放长线，让其在水中不轻松的这个时候，必须要力尽的时候，非常自然就可以到鱼精疲断冲来冲去，直

，再向对己的个那么一会，进而他的心神，然后再让大。出自方抛是先用技术*其心理挣扎橄榄枝，至于对方上不，而以姚飞昨天对方不上钩的可能性不技术的于上钩，那就要看对方对姚飞先前的想法就的所见所闻，等到对方来找自己时执着度了*他，扰乱

不到是依然达们研究所生产的单晶硅请教一下单晶硅技术，为什么原来我准纯度的99.9%？”纯度才能达到98.向您市场的标97%，却“姚先生，能不能

派，听姚飞布雷迪明显是个实干技术，立马就呼啦一下就问上了。说他有

“不知道教授生长中一些操作能给我之前采用的是何种生长技术，以及单晶吗？”硅棒细节介绍一下

法生长技术。没问题，我之前使用的“也是直拉

于硅熔点的化，并保持略高温度的多晶硅熔，然后将籽晶浸入籽晶并同时旋转引出晶通再以一定速度向上提拉过强电阻加热，将装体；在石英坩埚中熔体，

将其取出。”然后控制晶转拉扯，控制晶体等径的直径，上下正反方向旋待晶体冷却便，最后再收尾，体的延伸，生长到所需长度并将其控制到所需要

是按照之前的程方法。布雷迪详细的介绍了一下他制造单晶硅产业内的通用制造造工艺流直拉法单晶硅制来的，这也是目前单上晶硅的流程，基本

个小问题不知才所描述的方操作题的，但是有几道教中有没有考虑到。授在实际生产“我知道了，教授刚法基本上是没什么大问

用直拉法时，引晶高度最小，在晶体生长壁的阶段一是采度最到收尾阶段。的熔体高高，而裸露坩埚过程直

热时间最长，最对流、热传输液界面形状等，即体的露坩埚壁的高度不断增头部受到尾短，这样径向杂质分布不均匀。状况，整个晶棒经历不同的受热括熔大，这样造成从头生长条件不断变化包这个过程裸、固肯定会造成晶体轴向、尾部

的热对流加剧了熔融单晶硅棒杂质含量即坩锅中的o2、b、中，氧含量及其分要是熔体中体和晶体，最布是非常重要过高。”控制的参数，这主同时在直拉法出炉是氧含量又是难以硅与石英坩锅的作用，，但的al等杂质易于进入熔后就造成了

压根就，解决产生问题的对于姚飞来说大致介绍了一遍。技术才是关键，接没什么好隐产生的问题这瞒的现的问题跟布传统的单晶硅直拉生产着他又将雷迪技术中容易出

面的改进？”“那姚先直拉技术便的磁控生所说是针对这方

待的表情等待着姚个时候哪有平时度，完全是个懵懂满那副全能全知的怀期飞的回答。的小学生，正一脸教授气布雷迪这

减少了熔体的中直拉生长技术温度波度。，此技术改进便是对传统的改进“不错，磁控的直拉生长技术

一个这个温度波动就而如果施加目前直拉法中固会小于1c。0.2t的磁场，那液界面附熔体中的温度波动可近以达到10c以上，

同时晶体布均匀性也可以得到质分布的均匀性，的径向电阻分这样可以明体中杂显提高晶提高；

度，减少以降低单晶中一来，就杂质的进入，也就提高可这样的缺陷密体的纯度。了晶

少进硅与坩锅的作用用下场作入熔体和晶体。锅中的杂质较，熔融减弱，使坩这是由于在磁

。来增浓度的变化；由于磁粘将磁场性高杂质纵向分布均匀转动等工艺参数结合起，可有效控制晶体中氧产率坩锅；有利于提高生体转动、大，可提滞性，使扩散层厚度强度与晶

模批量生高的晶体，。”般直拉法两倍时，产简仍可得到质量较采用磁控直拉，当生长速度为一对于大规技术，如用水平磁场直就是福音

对于这个磁控直藏私，将和一些改进参数告诉改进方法姚飞也了布雷迪……没有拉技术，