国际大玩布雷迪将展开在上帝在和自己开一个是不是覆去的看了一遍又一遍笑。整个脸部不断抽动的表情仿佛想知道这到底手里的纸条翻来，

一看，哪入手的但是这四处招呼，向其表达研究所核心人物见个面还能的小林宏找得到人……打个应过来接受完各方的额祝贺，反志才想到了要和即将一下自己的友善，

不眠之夜，上翻来覆去无法入眠，小田中那样睡个好觉连带着今天这一这一夜他的妻子艾连娜是苦逼的睡在床。个个村次郎回到酒续欢庆，布雷迪却小林宏志、井深大及夜晚，店继也无法象往常注定对于有些人来说是

眼往姚飞酒店的一杯牛奶，就顶匆忙的洗漱过后面包大口喝了餐桌上仅仅抓了两块着他那双熊，布雷一起享用早餐，在迪顾不得坐下来和妻子房间赶去。第二天一早，猫

任何高尖端技有着执着于科学研究样而致命的软肋是对于术的抵抗一个同，那就的专家每一个对。教授都有力几乎为零追求

单晶硅的磁控直界证明自己的己工作的想加抓住布雷迪迫法飞这里应有尽有。续生长技雷迪脱离研究所为自拉技术、连术甚至悬浮区熔法，姚当时姚飞也是想想法，给了姚飞引诱布切需要向科学，接下来的事情就简单了，到这个原因，外

事情基本已飞，听啊！正在整理昨晚写出眼，就知道不倒，真是金玉良言之后，看见站在门授顶着一双大打开门大的熊要锄教资料姚上见敲门声响起经成了，只外的布雷迪头舞的好，哪有墙角挖猫

我下，，请进！”“布雷迪教授，早上好，自我介绍一是姚飞

然来了，当然没有理由就等你呢，既让人家在门外说话，不礼貌不说还不方便。

“谢谢。”

声跟着进了房间。布雷迪没说什么，谢了一

磁控直拉技，请问真法，你说你掌握单晶硅制造的各种方以及区熔法术、连续的是这样吗？”生长技术“姚先生，其中包括

雷迪立马急切的向姚道。下来，布一坐飞询问

技术的原理方法都已经经过我我都知晓，这些技术等进一步用于论证，只“是的教授，这些”实践的生产之中……实验

鱼的人都知道，咬钩了千万别立马拎大鱼上钩了，喜欢钓。杆，这样鱼线很容易被大鱼给背断的

鱼精疲力尽的时候，然就可以非常轻松这个时候，，让其在水中不的拖上岸。自去，直必须要放冲来冲到长线断

上钩的可能性不见所扰乱他的心神，然后再让其心理术**他，进而等到对方来找技术的执着度了，而时至于对方上不上钩姚闻，对方不姚飞先前以自己飞昨天的所的想法就是先用技大。，再向对方抛出自己的橄榄枝，挣扎个那么一会，，那就要看对方对于

不到市场的标一下单晶硅技术%，却是依然达姚先生，到98.97准纯们研究所生产，为什么原来我度的99.9%？”的单晶硅纯度才能达“能不能向您请教

个技呼啦一下就问上听姚飞说他有实干派，了。布雷迪明显是术，立马就

“不知道种下吗？”能给我细节介绍一教授之前采用的是何硅棒生长中一些操作晶生长技术，以及单

法生长技“没问题，我之前使也是直拉术。的用

熔化，并保持略高于硅体；体，通过强电阻加热，将装再以一定速度向，然后将籽晶浸入熔上提拉在石英坩埚中的多晶硅熔点的温度籽晶并同时旋转引出晶

尾，然后控制晶体的延伸，长度，最后再收上下正反方向待晶体冷并将其控制到所需要的直径，便将其取出。”旋转拉扯，控却制晶体等径生长到所需

拉他制造单晶硅的流法单晶前的直工艺流程来的，这程，基本上是按照之也是目前单晶硅产业内硅制造的通用制造方法。布雷迪详细的介绍了一下

际生产操作中有没有考“我知道了么大问题知道教授在实的，但是有几个小问题不述的方法基本上是没什，教授刚才所描虑到。

体最高，而。程直晶阶段的熔体生长过高度一是采用直拉法时，引到收尾阶段高度最小，在晶裸露坩埚壁的

头部受热时，即整个晶棒从头到尾，这变化包括熔体的对流、热传输、固液界样造成生这个过程裸样肯定会造成露坩埚壁的面形状等况，长条件不断高度不断增大，这经历不同的受热状间最长体轴向、径向杂质分布，尾部最短不均匀。晶

直拉法中的热对流加剧棒杂质含量过高。”常重要，但是氧含量又成了出炉的单晶硅中的o2、b、al坩锅了熔融硅与石英主要是熔体中晶体，最后就造，氧含量及其分布是非等杂质易于进入熔体和同时在的作用，即坩锅是难以控制的参数，这

解决产生问题的技术将传统的单晶硅直拉生产技术中容易出现的问题跟布雷迪大致这对于姚飞来说压，才是关介绍了一遍。键，接着他又根就没什么好隐瞒的产生的问题

控“那姚先生所说的磁直拉技术便是针进？”对这方面的改

布雷迪这度，完全是候哪有平时那一脸待着姚飞的回答知的。教授气个时个懵懂的小学生，正满怀期待的表情等副全能全

对传统的直术改进减少了熔“不错，磁控直拉拉生长体中的温度波度。生长技术便是技术的改进，此技

的磁场，那这个以达到10c以上，而如果施加一个0.2t附近目前直拉法中固液界面熔体中的温度波动可温度波动就会小于1c。

向电阻分布均匀性也可以得到这样可以明显提高晶体中杂质分布体的径的均匀性，同时晶提高；

晶体的纯度。质的进入，也就提高了晶中的缺陷密度，减少这样一来，就可以降低单杂

锅中用下较少进入熔体和，熔融的作用减弱，的杂质使坩硅与坩锅晶体。这是由于在磁场作

散层厚度增大，可提的变化；由于磁粘滞性动、坩与晶体转布均匀性锅转动等可有效控制晶体；有高杂质纵中氧浓度向分，使扩利于提高生产率。将磁场强度工艺参数结合起来，

拉技术，如用水平采用磁控直是福音。”量生产简直就磁场，对于大规模批可得到质量较高的晶体，当生长速度为一般直拉法两倍时，仍

告诉了布雷迪……对于这个磁进方法和一些改进参数也没有藏私，将改控直拉技术，姚飞